2028년 삼성전자 D램에 고개구수 EUV 도입 계획

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삼성전자가 2028년까지 고집적 D램 양산 공정에 고개구수 EUV(High-NA EUV) 노광장비를 적용할 계획이다. 6인치가 표준이던 포토마스크를 12인치로 전환하는 업계 협력에도 참여한다.삼성전자는 8일 ASML과 차세대 반도체 제조 기술... 삼성전자가 2028년까지 고집적 D램 양산 공정에 고개구수 EUV를 적용하겠다고 밝혔다. 12인치 포토마스크 전환에도 참여해 메모리 미세화 경쟁이 장비·마스크·수율 확보 경쟁으로 확대될 전망이다. 삼성전자는 고개구수 EUV의 D램 대량생산 적용 시점으로 2028년을 제시했으며, 업계 최초 도입을 목표로 내세웠다. 삼성전자의 2028년 계획은 확정된 양산 결과가 아니라 장비 도입과 공정 검증을 거쳐 달성해야 할 목표다. ASML은 고개구수 EUV 장비가 2025~2026년 고볼륨 생산을 지원할 수 있다고 제시했다.

고개구수 EUV 장비 가격은 3억5000만~4억달러(약 4708억~5380억원) 수준으로 거론된다.

ASML은 고개구수 EUV 장비 주문이 10~20건이라고 설명했지만, 고객사별 실제 도입 규모는 공개되지 않았다. SK하이닉스도 2028년 D램 양산에 고개구수 EUV를 적용하겠다고 밝혔다. 양사는 2031년 파일럿 라인을 구축하고 2033년 첨단 노드 양산에 필요한 노광 생태계 준비를 마치는 일정을 제시했으며, TSMC는 2030년부터 고급 공정 양산에 고개구수 EUV를 사용할 계획이라고 밝혔다. 과거 보도에서는 삼성전자의 고개구수 EUV 적용 시점을 2029~2030년 전후로 봤지만, 이번 공식 발표에서는 2028년까지 도입 계획을 제시했다.