월 1만5000장, 삼성 4나노 절반 HBM4 투입 보도

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삼성전자가 평택사업장 4나노 파운드리 생산능력의 50~60%를 HBM4 베이스 다이에 배정했다는 보도가 나왔다. 월 3만장 규모 생산능력 가운데 약 1만5000장이 HBM4용으로 투입되는 셈이다.디지타임스는 삼성전자가 평택사업장 2·3라인의... 삼성전자가 평택사업장 4나노 생산능력의 50~60%를 HBM4 베이스 다이에 배정했다는 보도가 나왔다. 디지타임스는 삼성전자가 평택사업장 2·3라인의 S5·S6 공정에서 생산하는 4나노 웨이퍼 중 절반 이상을 HBM4 베이스 다이에 배정했다고 보도했다. HBM4 베이스 다이는 여러 개의 메모리 칩을 쌓은 HBM 구조의 가장 아래에 놓이는 로직 칩이다. 이에 따라 HBM4 수요 증가는 메모리 생산라인뿐 아니라 첨단 파운드리 공정의 배정에도 영향을 줄 수 있다. 삼성전자는 HBM4가 1c D램과 4나노 로직 공정을 기반으로 하며, 차세대 인공지능 데이터센터를 겨냥한 제품이라고 설명했다.

특히 생산능력의 절반 이상이 단일 제품군에 배정될 경우 4나노 공정을 필요로 하는 다른 설계사의 물량과 납기에 영향을 줄 가능성이 있다. 삼성전자는 HBM4 상용 제품에 4나노 베이스 다이를 적용하고 양산과 출하를 시작했다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리의 4나노 생산 여력이 HBM4 베이스 다이와 AI 추론 칩 수요로 내년 물량까지 빠르게 소진되고 있다는 본지 보도 에서도 HBM4 수요가 파운드리 생산능력과 맞물리는 구조가 소개됐다. HBM4 베이스 다이에 절반 이상이 배정될 경우 다른 4나노 고객사가 사용할 수 있는 물량이 제한될 수 있다는 분석이다. 삼성전자의 4나노 생산능력 가운데 HBM4 베이스 다이 비중이 실제로 50~60% 수준인지와 배정 기간은 추가 확인이 필요하다.