“AI 메모리, HBM만으론 부족”…SK하이닉스, 차세대 메모리 기술 로드맵 제시

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안현 사장, 반도체 전시회서 기조연설 AI 인프라 수요 2030년까지 20배 전망 메모리 간 데이터 이동 새로운 병목 HBM 용량 10배인 ‘HBF’ 개발 추진 3D D램으로 속도·전력 효율 개선 인공지능(AI) 반도체 시장에서 고대역폭메모리(HBM)로 주도권을 잡은 SK하이닉스가 차세대 메모리 기술 개발에 속도를 낸다. SK하이닉스는 HBM보다 저장 용량이 10배 큰 차세대 메모리 ‘HBF’와 반도체 칩을 수직으로 쌓는 ‘3D 적층 D램’ 등을 새로운 성장 동력으로 내세웠다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 서울 강남구 코엑스에서 14일부터 사흘간 열리는 한국반도체산업협회 주최 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’에서 ‘AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향’을 주제로 한 기조연설에서 AI 시대에는 개별 메모리의 성능을 높이는 것만으로는 한계가 있다며 메모리 전체 구조를 최적화해야 한다고 강조했다.

AI가 처리해야 할 작업이 복잡해지고, 한 번에 이해해야 하는 정보량과 이용자의 요청이 동시에 늘면서 AI 인프라에 필요한 연산 성능 규모가 2030년에는 올해의 약 20배에 이를 것으로 전망했다. 메모리 하단에 위치한 반도체에 고객이 원하는 제어 기능 등을 넣어 AI 시스템별로 성능을 최적화하는 ‘커스텀 HBM’이 대표적이다. 이와 함께 여러 장치가 메모리를 효율적으로 공유하도록 돕는 CXL과 차세대 저장장치 기술 개발도 추진한다. 안 사장은 앞으로 AI 반도체 경쟁이 개별 메모리의 속도와 용량을 높이는 단계를 넘어 여러 메모리를 얼마나 효율적으로 연결하느냐에 따라 달라질 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 이번 전시회에서 엔비디아의 차세대 AI 반도체 ‘베라 루빈’ 슈퍼칩과 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 서명이 담긴 HBM 웨이퍼도 선보였다.

서버용 고성능 D램과 기업용 SSD, PC·모바일용 메모리 등도 공개하며 AI 메모리 시장에서의 기술 경쟁력을 강조했다.

양산 시점과 고객별 메모리 구조 채택 속도가 로드맵 실현의 변수로 남습니다. SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)에서 주도권을 지키며, 차세대 메모리 기술인 HBF와 3D 적층 D램 개발에 박차를 가하고 있다. AI 추론 시장의 급성장에 따라 저장 용량과 처리 속도를 최적화해야 하며, 향후 데이터 이동과 연결 효율성이 경쟁의 핵심이 될 것으로 전망되고 있다.