머스크 “중국, 메모리 제조 익히면 생산 확대 능력 앞서”
제목 연관성·주요 수치·시장 영향·향후 전망을 기준으로 핵심 문장을 선별한 요약 브리핑입니다.
핵심 포인트
- 일론 머스크는 중국이 메모리 제조 기술을 확보하면 생산 규모를 빠르게 늘릴 수 있다고 말했다.
- 다만 차세대 HBM은 적층 구조와 발열 관리가 기술 과제로 남아 있다고 봤다.
- 일론 머스크는 중국이 메모리 제조 기술을 확보하면 생산능력을 세계 다른 지역의 합보다 키우는 경우가 많다고 말했다.
본문
일론 머스크는 중국이 메모리 제조 기술을 확보하면 생산 규모를 빠르게 늘릴 수 있다고 말했다. 다만 차세대 HBM은 적층 구조와 발열 관리가 기술 과제로 남아 있다고 봤다. 일론 머스크는 중국이 메모리 제조 기술을 확보하면 생산능력을 세계 다른 지역의 합보다 키우는 경우가 많다고 말했다. 그는 범용 메모리와 차세대 고대역폭메모리(HBM)는 기술 난도가 다르다고 봤다. 머스크는 13일 메모리 반도체 주식 매도 논의에 답하며 리튬이온 배터리와 태양광 분야에서 중국의 생산 확대 사례가 있었다고 말했다. 약 3년 전까지만 해도 메모리는 이윤이 낮은 범용 상품에 가까웠고, LP5와 LP6는 공통 표준을 따르기 때문에 중국이 관련 기술을 빠르게 해결하는 듯하다고 설명했다. 창신메모리는 4F² 구조와 하이브리드 본딩 등을 적용한 DDR5 RDIMM 서버용 메모리 제품을 연말까지 선보일 계획이라고 밝혔다.
4F²는 주류인 6F² 구조보다 메모리 셀 면적을 줄이는 설계다.
같은 웨이퍼 면적과 공정 노드에서 셀 면적을 약 3분의 1 줄여 저장 밀도를 이론상 약 50% 높일 수 있다는 설명이다. 제품 공개 계획이 대량 생산이나 안정적인 수율을 입증하는 것은 아니다. 머스크의 발언은 중국의 생산 규모 확대 능력에 대한 견해이며, 창신메모리의 양산 성과를 확인한 설명은 아니다. 스페이스X가 궤도에 올린 탑재물 총질량은 세계 다른 지역의 합보다 약 10배 많지만, 스페이스X를 제외한 궤도 투입 탑재물 총질량에서는 중국이 대부분을 차지한다고 주장했다.