마이크론, 1δ D램·G11 낸드 2027년 하반기 생산 확대 목표
제목 연관성·주요 수치·시장 영향·향후 전망을 기준으로 핵심 문장을 선별한 요약 브리핑입니다.
핵심 포인트
- 마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 시점을 2027년 하반기로 제시했다.
- 마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 목표를 2027년 하반기로 제시했다.
- 스콧 드보어(Scott DeBoer) 마이크론 사장 겸 최고기술·제품책임자는 21일 기술 웹세미나에서 “메모리는 AI의 중심이며, 현재 시스템 성능과 역량을 제한하는 요소”라고 말했다.
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마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 시점을 2027년 하반기로 제시했다. 마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 목표를 2027년 하반기로 제시했다. 스콧 드보어(Scott DeBoer) 마이크론 사장 겸 최고기술·제품책임자는 21일 기술 웹세미나에서 “메모리는 AI의 중심이며, 현재 시스템 성능과 역량을 제한하는 요소”라고 말했다. 마이크론은 웹세미나에서 D램·HBM·낸드 기술 로드맵을 공개했다. 드보어는 1δ의 비트 집적도가 이전 세대보다 20%대 중반 개선될 것으로 제시했다. 낸드 차세대 제품인 G11은 G9보다 비트 집적도 2배, 입출력 속도 1.5배를 목표로 한다. 웨이퍼 두 장을 결합하는 본딩 기술을 적용하고 적층 수는 400단을 넘길 계획이다.
D램 구조에서는 기존 6F² 기반 공정의 미세화를 이어가면서 3D DRAM도 개발한다.
이번 발표는 AI용 메모리의 집적도와 전송 속도, 배치 구조를 함께 개선하려는 마이크론의 기술 계획을 담았다. 삼성전자와 SK하이닉스도 AI 메모리와 고적층 낸드 기술을 공개한 바 있어 관련 업계의 개발 경쟁이 이어지고 있다. 마이크론은 G11의 세부 사양을 2027년 출시 시점에 가까워져 공개할 예정이다. 본 기사는 시장 데이터 및 차트 분석을 바탕으로 작성되었으며, 특정 종목에 대한 투자 권유가 아닙니다.