“속도·확장성·영속성에 초점”…삼성전자, 새 메모리 전략 공개

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삼성전자가 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최된 글로벌 정보기술(IT) 인프라 행사에서 속도와 확장성, 영속성에 초점을 맞춘 새 메모리 전략을 공개했다. 심호준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 상무는 이날 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 ‘오픈컴퓨트프로젝트(OCP) 글로벌 서밋’에서 이같은 내용을 발표했다. 심 상무는 인공지능(AI) 모델이 대형화하고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV캐시(임시저장 키값) 용량이 급증함에 따라 메모리 대역폭을 넘어 용량 확장과 데이터 저장 기술이 핵심으로 부상한 만큼 이들 전략이 중요해졌다고 소개했다. 삼성전자는 우선 속도 측면에서 최첨단 ‘고대역폭 메모리(HBM)5’와 맞춤형 HBM, 연산칩 위에 메모리를 적층하는 zHBM, 간단한 연산은 메모리 내에서 수행하는 PIM 등을 준비 중이다.

메모리 확장성 측면에서는 연산을 담당하는 AI 가속기와 메모리를 효율적으로 연결해주는 대체 기술 ‘컴퓨트익스프레스링크’(CXL), 또 이를 활용한 메모리 모듈인 CMM-D(CXL Memory Module-DRAM) 기반 기술로 데이터 관리 효율을 개선할 방침이다. 삼성전자는 또 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 설루션을 공동 시연, 기존 시스템의 메모리 용량 한계를 보완하는 방안도 제시한다. 카운터포인트리서치와 트렌드포스 등 시장조사업체들에 따르면 삼성전자는 올해 2분기(4~6월) 글로벌 D램 시장에서 39%의 점유율로, 낸드 시장에서 29.3%의 점유율로 각각 1위를 기록했다. 시장조사업체 옴디아는 삼성전자가 생산능력 면에서도 300㎜ 웨이퍼 기준 올해 연간 약 817만5000장의 D램을 생산할 수 있는 것으로 전망돼 SK하이닉스(666만장)와 마이크론(360만장)을 넘어서는 것으로 평가했다.

AI 추론의 KV캐시 확대에 맞춰 HBM과 CXL, 기업용 SSD를 속도·확장성·영속성의 세 축으로 제시했습니다. 삼성전자가 12일 실리콘밸리에서 열린 오픈컴퓨트프로젝트(OCP) 글로벌 서밋에서 속도와 확장성, 영속성에 중점을 둔 새로운 메모리 전략을 공개했다. 특히, AI 모델의 대형화에 따라 메모리 대역폭을 넘어선 용량 확장과 데이터 저장 기술이 중요해졌다며, 첨단 고대역폭 메모리와 AI 가속기 등 혁신 제품들을 발표했다. 삼성전자는 또한 AMD와 협력하여 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 시연하며, 글로벌 D램 및 낸드 시장에서 각각 1위를 기록했다.