Groq, 차세대 칩에 SRAM 대신 3D 적층 D램 검토 전해져

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AI 반도체 기업 Groq가 차세대 칩에서 SRAM 자리에 3D 적층 D램 패키징 기술을 쓰는 방안을 검토하고 있다고 전해졌다. AI 반도체 기업 Groq가 차세대 칩에 3차원(3D) 적층 D램 패키징 기술을 적용하는 방안을 검토하고 있다. 지디넷코리아는 Groq가 3D 적층 D램 패키징을 하나의 선택지로 들여다보고 있으며, 업계에서는 이를 SRAM 중심의 칩 설계에서 벗어나 칩 용량을 대폭 키우려는 시도로 해석한다고 전했다. SRAM은 속도가 빠른 대신 담을 수 있는 용량에 한계가 있다. D램은 속도가 상대적으로 느리지만 대용량 칩을 구현하기에 적합하다. 속도를 앞세운 설계에서 용량을 키우는 설계로 무게추를 옮기는 선택인 셈이다. 3D 패키징은 여러 개의 반도체 칩을 평면에 늘어놓지 않고 수직으로 쌓아 하나의 칩으로 만드는 기술이다. 지디넷코리아는 이 방식이 기존 2D 패키징보다 칩 표면적을 줄이고 에너지 효율을 높일 수 있다고 설명했다.

SK하이닉스는 지난 8일 열린 미래포럼에서 3D D램의 상용화 과제로 발열과 미세 연결, 공정 통합을 꼽았다 . 김경훈(Kyunghoon Kim) SK하이닉스 부사장은 "3D 적층 D램을 실제 제품으로 구현하려면 설계 최적화뿐 아니라 발열과 공정 복잡성 같은 과거와 다른 기술 과제를 해결해야 한다"고 말했다. 3D D램의 구체적인 양산 시점과 제품 사양은 SK하이닉스도 공개하지 않았다. 본 기사는 시장 데이터 및 차트 분석을 바탕으로 작성되었으며, 특정 종목에 대한 투자 권유가 아닙니다.