TSMC 3D D램 생산설에 업계 반론…저장 셀은 메모리 업체 몫

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대만 업계는 HBM4 베이스 다이·첨단 패키징과 D램 저장 셀 제조가 다른 영역이라고 설명했다. TSMC($TSM)가 엔비디아($NVDA)의 요청으로 3D D램 생산 방안을 검토한다는 보도가 나온 가운데, 대만 반도체 업계는 저장 셀 제조와 로직 칩·첨단 패키징을 구분해야 한다고 설명했다. 대만 경제일보가 8일 보도한 업계 인터뷰에서 관계자들은 TSMC가 맡을 수 있는 영역으로 HBM4 베이스 다이 제조와 SoIC 패키징을 들었다. 이들은 이런 협력이 D램 저장 셀 생산과 같은 뜻은 아니라고 설명했다. 저장 셀 배열은 메모리 업체의 전문 영역이고, TSMC는 하부 제어기와 로직 회로 또는 SoIC 하이브리드 본딩 패키징을 담당할 수 있다는 게 업계 관계자들의 설명이다. 이는 메모리 칩 아래에 놓이는 베이스 다이의 제조 협력으로, D램 저장 셀 생산과는 구분된다.

TSMC의 3DFabric 기술 연합에는 삼성전자($005930) 메모리 사업부와 SK하이닉스, 마이크론($MU)이 참여한다.

이 연합은 칩 적층과 첨단 패키징 분야의 협력 체계로, 참여 사실만으로 3D D램 저장 셀의 생산 주체가 정해지는 것은 아니다. TSMC는 1999년 D램 제조업체 에이서반도체의 지분을 인수했다. 업계 관계자들은 공장 인수 뒤 TSMC가 표준형 D램 생산을 이어가기보다 공장을 로직 반도체 위탁생산에 활용했다고 해석했다. SK하이닉스는 8일 경기도 이천 SUPEX센터에서 열린 ‘2026 SK하이닉스 미래포럼’에서 3D 메모리 기술 방향을 공개했다. 이 기술 구상과 TSMC의 3D D램 생산 검토 보도는 각각 메모리 업체의 기술 방향과 파운드리 업체의 생산 방안을 다루며, 저장 셀 제조 여부는 별도로 봐야 한다.