2027년 초 개발 목표…삼성전자(005930) 3D 큐브-H 평가 추진
제목 연관성·주요 수치·시장 영향·향후 전망을 기준으로 핵심 문장을 선별한 요약 브리핑입니다.
핵심 포인트
- 3D 큐브-H는 하이브리드 본딩으로 GPU 등 로직 칩을 쌓거나 HBM 위에 로직 칩을 결합하는 패키징 기술이다.
- 개발 중인 단자 간격은 약 6㎛로, 열압착 접합 방식의 약 25㎛보다 좁다고 보도됐다.
- 삼성전자 (005930)가 AI 반도체용 3D 큐브-H(3D Cube-H) 개발과 첫 설계 키트 제작을 2027년 초까지 마친 뒤 잠재 고객 평가에 나설 계획이다.
본문
3D 큐브-H는 하이브리드 본딩으로 GPU 등 로직 칩을 쌓거나 HBM 위에 로직 칩을 결합하는 패키징 기술이다. 개발 중인 단자 간격은 약 6㎛로, 열압착 접합 방식의 약 25㎛보다 좁다고 보도됐다. 삼성전자 (005930)가 AI 반도체용 3D 큐브-H(3D Cube-H) 개발과 첫 설계 키트 제작을 2027년 초까지 마친 뒤 잠재 고객 평가에 나설 계획이다. 3D 큐브-H는 하이브리드 본딩으로 칩을 수직으로 쌓아 연결하는 패키징 기술이다. GPU 같은 로직 칩을 쌓거나 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 칩 위에 로직 칩을 결합해 고성능 AI 반도체에 적용하는 방안이 제시됐다. 삼성전자가 앞서 개발한 3D 큐브-T(3D Cube-T)는 열압착 접합을 쓰고, 개발 중인 3D 큐브-H는 하이브리드 본딩을 적용한다. 보도에 제시된 최소 단자 간격은 열압착 방식이 약 25㎛, 3D 큐브-H가 약 6㎛다.
하이브리드 본딩은 칩 사이 구리를 직접 연결해 연결 밀도를 높이고 비트당 에너지를 낮출 수 있으며, 열 처리 특성도 열압착 방식과 다르다고 전해졌다. 3D 큐브-H는 별도로 만든 칩을 패키징 단계에서 결합하는 기술로, 메모리 셀을 수직으로 쌓는 3D D램과는 적층 대상이 다르다. SK하이닉스는 3D D램 상용화 과제로 발열과 미세 연결, 공정 통합을 꼽았다 . 본 기사는 시장 데이터 및 차트 분석을 바탕으로 작성되었으며, 특정 종목에 대한 투자 권유가 아닙니다. 마스비트(MarsBit)는 10일 오후 3시50분(한국시간) 이 같은 일정을 보도했다.