창신메모리 D램 점유율 10%, 나우라 3D 주장

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중국 반도체 장비업체 나우라(NAURA Technology Group)가 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 3D D램 생산을 도울 수 있는 식각 공정 돌파구를 주장했다. 창신메모리의 D램 점유율 확대와 중국 반도체 장비 내재화 흐름이 맞물리면서 기술 자립... 중국 반도체 장비업체 나우라가 창신메모리테크놀로지의 3D D램 생산을 뒷받침할 식각 공정 돌파구를 주장했다. 다만 공식 제품군과 시장 점유율 수치가 곧바로 3D D램 상용화를 뜻하지는 않는다. 창신메모리의 D램 점유율 확대와 중국 반도체 장비 내재화 흐름이 맞물리면서 기술 자립 논의가 다시 커지는 모습이다. 크립토브리핑(Crypto Briefing)은 4일 나우라가 3D D램 생산에 필요한 식각 공정에서 돌파구를 주장했다고 전했다. 나우라는 공식 자료에서 자사 장비가 로직, D램, 3D 낸드, 3D IC 공정에 적용된다고 밝혔다.

이는 3D D램 논의와 방향은 맞지만, 창신메모리의 3D D램 상용화를 입증하는 자료는 아니다.

카운터포인트리서치(Counterpoint Research)는 2026년 2분기 글로벌 D램 매출 점유율을 삼성전자 39%, SK하이닉스 26%, 마이크론 25%, 창신메모리 10%로 집계했다. 상하이증권거래소와 신화 보도는 창신메모리가 2026년 7월 공모를 통해 시장의 주목을 받았고, 조달 자금이 기존 D램 생산라인 업그레이드와 D램 연구개발에 주로 쓰이는 것으로 전했다. 창신메모리의 점유율 10% 도달은 확인된 수치지만, 3D D램 전환 여부는 기술 공개와 고객사 채택, 수율 검증을 거쳐야 판단할 수 있다. 점유율 10%는 조사기관이 제시한 시장 수치이고, 3D D램 생산 전환은 아직 공개 검증이 필요한 기술 주장이다.